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MMBT8550D
IC

SOT-23

可供量大可议

MMBT8550D

三极管(BJT) 350mW 25V 600mA PNP

品牌

ST

封装

SOT-23

库存

8,017

货期

现货

MMBT8550D参数

封装SOT-23
品牌ST(先科)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)25V
直流电流增益(hFE)400
集电极截止电流(Icbo)100nA
射基极击穿电压(Vebo)6V
商品名称PNP 电流:600mA 电压:25V
包装方式编带
商品类型三极管(BJT)
分类三极管(BJT)
库存8,017
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)600mA
耗散功率(Pd)350mW
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
数量1个PNP
商品型号MMBT8550D
单位个
商品重量2.7e-05

MMBT8550D概述

三极管(BJT) 350mW 25V 600mA PNP

MMBT8550D特性

暂无产品特性。

MMBT8550D应用领域

暂无应用领域。

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