MMBT7002DW
IC
SOT-363
可供量大可议
MMBT7002DW
N沟道， 漏源电压：60V， 连续漏极电流：0.115A， 导通电阻：7.5Ω@10V， 耗散功率：0.2W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
SOT-363
库存
4,360
货期
现货
MMBT7002DW参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4360 |
MMBT7002DW概述
N沟道， 漏源电压：60V， 连续漏极电流：0.115A， 导通电阻：7.5Ω@10V， 耗散功率：0.2W， MOSFET产品， ESD防护。
MMBT7002DW特性
暂无产品特性。
MMBT7002DW应用领域
暂无应用领域。