MMBT6427LT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBT6427LT1G
达林顿管 225mW 40V 20000@5V, 100mA NPN
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
26,525
货期
现货
MMBT6427LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 直流电流增益(hFE) | 20000 |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 26,525 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 1.75V |
MMBT6427LT1G概述
达林顿管 225mW 40V 20000@5V, 100mA NPN
MMBT6427LT1G特性
暂无产品特性。
MMBT6427LT1G应用领域
暂无应用领域。