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MMBT6427-7-F
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IC

SOT-23

MMBT6427-7-F

达林顿管 300mW 40V 20000@5V, 100mA NPN

品牌

DIODES

封装

SOT-23

交期

现货

批次

23+

MMBT6427-7-F参数

封装SOT-23
品牌DIODES(美台)
批次23+
类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集电极截止电流(Icbo)1uA
直流电流增益(hFE)20000
基极-发射极饱和电压(VBE(sat))2V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
分类达林顿管
库存2
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)300mW
集射极饱和电压(VCE(sat))1.5V@50mA, 0.5mA
射基极击穿电压(Vebo)12V
基极-发射极导通电压(VBE(on))1.75V

MMBT6427-7-F概述

达林顿管 300mW 40V 20000@5V, 100mA NPN

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