MMBT6427-7-F
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBT6427-7-F
达林顿管 300mW 40V 20000@5V, 100mA NPN
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
2
货期
现货
MMBT6427-7-F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 23+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA |
| 直流电流增益(hFE) | 20000 |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@50mA, 0.5mA |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 1.75V |
MMBT6427-7-F概述
达林顿管 300mW 40V 20000@5V, 100mA NPN
MMBT6427-7-F特性
暂无产品特性。
MMBT6427-7-F应用领域
暂无应用领域。