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MMBT5551T
IC

SOT-523

可供量大可议

MMBT5551T

三极管(BJT) 200mW 160V 600mA NPN

品牌

CBI

封装

SOT-523

库存

7,908

货期

现货

MMBT5551T参数

封装SOT-523
品牌CBI(创基)
批次26+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)160V
直流电流增益(hFE)100
集电极截止电流(Icbo)50nA
射基极击穿电压(Vebo)6V
分类三极管(BJT)
库存7,908
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)600mA
耗散功率(Pd)200mW
特征频率(fT)300MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV
数量1个NPN

MMBT5551T概述

三极管(BJT) 200mW 160V 600mA NPN

MMBT5551T特性

暂无产品特性。

MMBT5551T应用领域

暂无应用领域。

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