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MMBT5551LT1G
自营可供
IC

SOT-23

MMBT5551LT1G

三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN

品牌

ON

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

MMBT5551LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次26+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)160V
直流电流增益(hFE)80
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
射基极击穿电压(Vebo)6V
分类三极管(BJT)
库存135,413
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)600mA
耗散功率(Pd)300mW
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个NPN

MMBT5551LT1G概述

三极管(BJT) 225mW 160V 600mA NPN

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