MMBT5551-G1
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBT5551-G1
特性：NPN硅， 平面设计。 集电极-发射极电压 VCE = 160V。 集电极电流 IC = 600mA。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品
品牌
SY
封装
SOT-23
库存
2,350
货期
现货
MMBT5551-G1参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | SY(顺烨) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2350 |
MMBT5551-G1概述
特性：NPN硅， 平面设计。 集电极-发射极电压 VCE = 160V。 集电极电流 IC = 600mA。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品
MMBT5551-G1特性
暂无产品特性。
MMBT5551-G1应用领域
暂无应用领域。