MMBT5551-AU_R1_000A2
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBT5551-AU_R1_000A2
特性：NPN硅， 平面设计。 集电极-发射极电压 VCE = 160V。 集电极电流 IC = 600mA。 通过AEC-Q101认证。 符合EURoHS 2.0的无铅标准。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
品牌
PANJIT
封装
SOT-23
库存
3,390
货期
现货
MMBT5551-AU_R1_000A2参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | PANJIT(强茂) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 3390 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个NPN |
MMBT5551-AU_R1_000A2概述
三极管(BJT) 250mW 160V 600mA NPN
MMBT5551-AU_R1_000A2特性
暂无产品特性。
MMBT5551-AU_R1_000A2应用领域
暂无应用领域。