MMBT5550LT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBT5550LT1G
三极管(BJT) 225mW 140V 600mA NPN
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
139,537
货期
现货
MMBT5550LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 140V |
| 直流电流增益(hFE) | 60 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 139,537 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个NPN |
MMBT5550LT1G概述
三极管(BJT) 225mW 140V 600mA NPN
MMBT5550LT1G特性
暂无产品特性。
MMBT5550LT1G应用领域
暂无应用领域。