MMBT5401WT1G-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
MMBT5401WT1G-HXY
此款PNP型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力, 适用于需要中等电流驱动的应用场景。 其集电极-发射极间的最大电压(VCEO)为150V, 确保在高压工作环境下的稳定运行。 直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 提供了有效的电流放大功能。 特征频率(FT)达到100MHz, 保证了高速开关与信号处理的能力。 该三极管适合用于构建可靠的放大器电路和信号处理系统, 特别适用于对稳定性和速度有较高要求的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
75
货期
现货
MMBT5401WT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
MMBT5401WT1G-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力, 适用于需要中等电流驱动的应用场景。 其集电极-发射极间的最大电压(VCEO)为150V, 确保在高压工作环境下的稳定运行。 直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 提供了有效的电流放大功能。 特征频率(FT)达到100MHz, 保证了高速开关与信号处理的能力。 该三极管适合用于构建可靠的放大器电路和信号处理系统, 特别适用于对稳定性和速度有较高要求的电子设备中。
MMBT5401WT1G-HXY特性
暂无产品特性。
MMBT5401WT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
