MMBT5401Q-7-F
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBT5401Q-7-F
三极管(BJT) 350mW 150V 600mA PNP
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
5,930
货期
现货
MMBT5401Q-7-F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 两年内 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V |
| 直流电流增益(hFE) | 60 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个PNP |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 5,930 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 耗散功率(Pd) | 310mW |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
MMBT5401Q-7-F概述
三极管(BJT) 350mW 150V 600mA PNP
MMBT5401Q-7-F特性
暂无产品特性。
MMBT5401Q-7-F应用领域
暂无应用领域。