MMBT5401BD
IC
SOT-26
可供量大可议
MMBT5401BD
晶体管类型：PNP， 集电极电流：200mA， 集射极击穿电压：150V， 耗散功率：300mW， 适用于线性及开关应用。
品牌
Huixin
封装
SOT-26
库存
2,745
货期
现货
MMBT5401BD参数
| 封装 | SOT-26 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2745 |
MMBT5401BD概述
晶体管类型：PNP， 集电极电流：200mA， 集射极击穿电压：150V， 耗散功率：300mW， 适用于线性及开关应用。
MMBT5401BD特性
暂无产品特性。
MMBT5401BD应用领域
暂无应用领域。