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MMBT5401-13-F
IC

SOT-23-3

可供量大可议

MMBT5401-13-F

三极管(BJT) 310mW 150V 600mA PNP

品牌

DIODES

封装

SOT-23-3

库存

8,804

货期

现货

MMBT5401-13-F参数

封装SOT-23-3
品牌DIODES(美台)
批次22+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)150V
直流电流增益(hFE)60
集电极截止电流(Icbo)50uA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存8,804
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)600mA
耗散功率(Pd)310mW
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

MMBT5401-13-F概述

三极管(BJT) 310mW 150V 600mA PNP

MMBT5401-13-F特性

暂无产品特性。

MMBT5401-13-F应用领域

暂无应用领域。

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