MMBT3906LP-7
IC
DFN-3(1x0.6)
可供量大可议
MMBT3906LP-7
特性：BVCEO > -40V。 高集电极电流：IC = -200mA。 功耗：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²， 比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm， 可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件
品牌
DIODES
封装
DFN-3(1x0.6)
库存
2,975
货期
现货
MMBT3906LP-7参数
| 封装 | DFN-3(1x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2975 |
MMBT3906LP-7概述
特性：BVCEO > -40V。 高集电极电流：IC = -200mA。 功耗：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²， 比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm， 可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件
MMBT3906LP-7特性
暂无产品特性。
MMBT3906LP-7应用领域
暂无应用领域。