MMBT3904FZ-7B
IC
DFN-3(0.6x0.6)
可供量大可议
MMBT3904FZ-7B
特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 高集电极电流。 PD = 925mW 功率耗散。 0.36mm² 封装尺寸， 比 DFN1006 小 40%。 0.4mm 低封装高度， 减少板外轮廓。 互补 PNP 型 MMBT3906FZ。 完全无铅， 完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
DFN-3(0.6x0.6)
库存
3
货期
现货
MMBT3904FZ-7B参数
| 封装 | DFN-3(0.6x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
MMBT3904FZ-7B概述
特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 高集电极电流。 PD = 925mW 功率耗散。 0.36mm² 封装尺寸， 比 DFN1006 小 40%。 0.4mm 低封装高度， 减少板外轮廓。 互补 PNP 型 MMBT3906FZ。 完全无铅， 完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
MMBT3904FZ-7B特性
暂无产品特性。
MMBT3904FZ-7B应用领域
暂无应用领域。