MMBT2222A-7-F
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBT2222A-7-F
特性：外延平面芯片结构。 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用， 该产品符合AEC-Q101标准， 具备PPAP能力， 并在通过IATF 16949认证的工厂生产
Brand
DIODES
Package
SOT-23
Stock
74,250
货期
现货
MMBT2222A-7-FParameters
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 74250 |
MMBT2222A-7-F概述
特性：外延平面芯片结构。 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用， 该产品符合AEC-Q101标准， 具备PPAP能力， 并在通过IATF 16949认证的工厂生产
MMBT2222A-7-F特性
暂无产品特性。
MMBT2222A-7-F应用领域
暂无应用领域。