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MMBT2222A, 215-JSM
IC

SOT-23

可供量大可议

MMBT2222A, 215-JSM

晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):100@150mA, 10V hFE:200-300, 丝印:1P

Brand

JSMSEMI

Package

SOT-23

Stock

2,950

货期

现货

MMBT2222A, 215-JSMParameters

封装SOT-23
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 50
分类三极管(BJT)
库存2950

MMBT2222A, 215-JSM概述

晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):100@150mA, 10V hFE:200-300, 丝印:1P

MMBT2222A, 215-JSM特性

暂无产品特性。

MMBT2222A, 215-JSM应用领域

暂无应用领域。

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