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MMBFJ309LT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

MMBFJ309LT1G

结型场效应管(JFET) N沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

9,424

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

MMBFJ309LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次两年内
数量1个N沟道
漏源电流(Idss)30mA
FET类型N沟道
分类结型场效应管(JFET)
库存9,424
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)225mW
工作温度-55℃~+150℃

MMBFJ309LT1G概述

结型场效应管(JFET) N沟道

MMBFJ309LT1G特性

暂无产品特性。

MMBFJ309LT1G应用领域

暂无应用领域。

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