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MMBFJ175LT1G
自营可供
IC

SOT-23

MMBFJ175LT1G

结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

交期

现货

批次

两年内

MMBFJ175LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次两年内
数量1个P沟道
栅源击穿电压(Vgss)30V
导通电阻(RDS(on))125Ω
输入电容(Ciss)11pF
FET类型P沟道
分类结型场效应管(JFET)
库存52,596
MOQ / SPQ1 / 1
栅源截止电压(VGS(off))3V
耗散功率(Pd)225mW
漏源电流(Idss)7mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBFJ175LT1G概述

结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道

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