MMBFJ175LT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBFJ175LT1G
结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
55,036
货期
现货
MMBFJ175LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125Ω |
| 输入电容(Ciss) | 11pF |
| FET类型 | P沟道 |
| 分类 | 结型场效应管(JFET) |
|---|---|
| 库存 | 55,036 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 3V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 漏源电流(Idss) | 7mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBFJ175LT1G概述
结型场效应管(JFET) 225mW 3V@10nA 30V P沟道
MMBFJ175LT1G特性
暂无产品特性。
MMBFJ175LT1G应用领域
暂无应用领域。