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MMBFJ112
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

MMBFJ112

结型场效应管(JFET) 350mW 1V@1uA 35V N沟道

品牌

ON

封装

SOT-23-3L

库存

84,666

货期

现货

MMBFJ112参数

封装SOT-23-3L
品牌ON(安森美)
批次26+
数量1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)35V
导通电阻(RDS(on))50Ω
工作温度-55℃~+150℃
分类结型场效应管(JFET)
库存84,666
MOQ / SPQ1 / 1
栅源截止电压(VGS(off))1V
耗散功率(Pd)350mW
漏源电流(Idss)5mA
FET类型N沟道

MMBFJ112概述

结型场效应管(JFET) 350mW 1V@1uA 35V N沟道

MMBFJ112特性

暂无产品特性。

MMBFJ112应用领域

暂无应用领域。

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