MMBFJ108
自营可供
IC
SOT-23-3
MMBFJ108
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23
品牌
ON
封装
SOT-23-3
交期
现货
批次
26+
MMBFJ108参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 射频开关 |
|---|---|
| 库存 | 6,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
MMBFJ108概述
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23
MMBFJ108特性
- 器件类型：N-沟道结型场效应晶体管（JFET， 三极封装）
- 封装形式：SOT-23-3， 表面贴装， 便于自动贴装生产
- 品牌与来源：ON（安森美半导体）
- 工作温度：-55℃ ~ +150℃， 适合苛刻环境使用
- 噪声低、输入阻抗高， 适用于前端信号放大与阻抗隔离
- 典型的耗尽型行为， 便于用作模拟开关、源跟随器与恒流源
- MMBFJ108 作为小信号 JFET， 在电路设计中表现出以下优势与注意点
- 高输入阻抗：栅极基本为电压控制， 栅电流极小， 适合作为高阻抗源的缓冲器或前置放大。
- 线性区表现良好：在适当偏置下可获得良好的线性放大特性， 适合模拟前端与小信号放大。
- 耗尽型器件：默认导通， 通常通过栅极偏置实现关断或调节导通程度， 用于模拟开关或电流限流。
- 温度稳定性：器件额定工作温度覆盖-55℃至+150℃， 在极端温度下仍能维持性能， 但在高温时需考量功耗和漂移影响。
- 注意：在电路中应根据具体应用对栅源偏置进行合理设计， 避免在栅极施加过大反向电压。 SOT-23 封装的热阻相对较大， 功耗受限， 应通过 PCB 散热设计进行补偿。
MMBFJ108应用领域
- 前置放大器与低噪声输入级：利用高输入阻抗和低噪声特性， 适合音频、传感器和射频前端的输入缓冲。
- 模拟开关与电平移位：耗尽型特性便于构建可控的模拟通断与电压移位电路。
- 恒流源与电流限流：作为有源负载或恒流元件使用， 结构简单， 响应快。
- 信号混合与差分电路：用于构造差分对或作为有源负载， 提高共模抑制和线性度。