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MMBF170LT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

MMBF170LT1G

场效应管(MOSFET) 225mW 60V 500mA 1个N沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

13,978

货期

现货

MMBF170LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存13,978
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)225mW
输入电容(Ciss)60pF
类型N沟道

MMBF170LT1G概述

场效应管(MOSFET) 225mW 60V 500mA 1个N沟道

MMBF170LT1G特性

暂无产品特性。

MMBF170LT1G应用领域

暂无应用领域。

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