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MMBF170-7-F
IC

SOT-23

可供量大可议

MMBF170-7-F

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 500mA 1个N沟道

品牌

DIODES

封装

SOT-23

库存

42,337

货期

现货

MMBF170-7-F参数

封装SOT-23
品牌DIODES(美台)
批次25+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.2Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2.1V
反向传输电容(Crss)2pF
输出电容(Coss)11pF
分类场效应管(MOSFET)
库存42,337
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)300mW
输入电容(Ciss)22pF
工作温度-55℃~+150℃

MMBF170-7-F概述

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 500mA 1个N沟道

MMBF170-7-F特性

暂无产品特性。

MMBF170-7-F应用领域

暂无应用领域。

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