SOIC-20-300mil
MM74HCT541WM
MM74HCT540 和 MM74HCT541 3 态缓冲器采用先进的 CMOS 工艺, 是通用型高速反相和非反相缓冲器。 它们具有高驱动电流输出, 即使在驱动大总线电容时也能实现高速运行。 这些电路与低功耗肖特基器件相比实现了更高速度, 同时保留了 CMOS 的低功耗。 两个器件均兼容 TTL 输入, 具有相当于 15 个 LS-TTL 输入的扇出。 MM74HCT 器件适用于 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口。 这些器件还是 LS-TTL 器件的插入式替代产品, 可用于降低现有设计的功耗。 MM74HCT540 是反相缓冲器, MM74HCT541 是非反相缓冲器。 该 3 态控制门极作为两输入 NOR 运行, 因此当 G1# 或 G2# 为高电平时, 所有八个输出均为高阻抗状态。 为了增强 PC 板布局, MM74HCT540 和 MM74HCT541 提供的引脚输出为输入和输出位于封装的对侧。 通过对二极管联接 VCC 和接地, 防止所有输入因静电放电受损。
品牌
onsemi
封装
SOIC-20-300mil
库存
2
货期
现货
MM74HCT541WM参数
| 封装 | SOIC-20-300mil |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 缓冲器/驱动器/收发器 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
MM74HCT541WM概述
MM74HCT540 和 MM74HCT541 3 态缓冲器采用先进的 CMOS 工艺, 是通用型高速反相和非反相缓冲器。 它们具有高驱动电流输出, 即使在驱动大总线电容时也能实现高速运行。 这些电路与低功耗肖特基器件相比实现了更高速度, 同时保留了 CMOS 的低功耗。 两个器件均兼容 TTL 输入, 具有相当于 15 个 LS-TTL 输入的扇出。 MM74HCT 器件适用于 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口。 这些器件还是 LS-TTL 器件的插入式替代产品, 可用于降低现有设计的功耗。 MM74HCT540 是反相缓冲器, MM74HCT541 是非反相缓冲器。 该 3 态控制门极作为两输入 NOR 运行, 因此当 G1# 或 G2# 为高电平时, 所有八个输出均为高阻抗状态。 为了增强 PC 板布局, MM74HCT540 和 MM74HCT541 提供的引脚输出为输入和输出位于封装的对侧。 通过对二极管联接 VCC 和接地, 防止所有输入因静电放电受损。
MM74HCT541WM特性
暂无产品特性。
MM74HCT541WM应用领域
暂无应用领域。
