SOIC-20-300mil
MM74HCT374WM
MM74HCT373 八进制 D 型锁存器和 MM74HCT374 八进制 D 型触发器采用先进的硅栅 CMOS 技术, 具有低功耗和宽电源范围的固有优势, 与 LS-TTL 输入和输出特性及引脚兼容。 3 态输出能够驱动 15 个 LS-TTL 负载。 所有输入通过内部二极管连接到 VCC 和地, 可防止因静电放电而损坏。 MM74HCT373 在锁存使能输入为高电平时, Q 输出跟随 D 输入; 锁存使能变为低电平时, D 输入的数据将保留在输出端, 直到锁存使能再次变为高电平。 当输出控制输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT374 是正边沿触发的触发器, 满足建立和保持时间要求的 D 输入数据在时钟(CK)输入的正跳变时传输到 Q 输出。 当输出控制(OC)输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT 器件旨在用于 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口, 也可替代 LS-TTL 器件, 用于降低现有设计的功耗。
品牌
onsemi
封装
SOIC-20-300mil
库存
1
货期
现货
MM74HCT374WM参数
| 封装 | SOIC-20-300mil |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 触发器 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
MM74HCT374WM概述
MM74HCT373 八进制 D 型锁存器和 MM74HCT374 八进制 D 型触发器采用先进的硅栅 CMOS 技术, 具有低功耗和宽电源范围的固有优势, 与 LS-TTL 输入和输出特性及引脚兼容。 3 态输出能够驱动 15 个 LS-TTL 负载。 所有输入通过内部二极管连接到 VCC 和地, 可防止因静电放电而损坏。 MM74HCT373 在锁存使能输入为高电平时, Q 输出跟随 D 输入; 锁存使能变为低电平时, D 输入的数据将保留在输出端, 直到锁存使能再次变为高电平。 当输出控制输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT374 是正边沿触发的触发器, 满足建立和保持时间要求的 D 输入数据在时钟(CK)输入的正跳变时传输到 Q 输出。 当输出控制(OC)输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT 器件旨在用于 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口, 也可替代 LS-TTL 器件, 用于降低现有设计的功耗。
MM74HCT374WM特性
暂无产品特性。
MM74HCT374WM应用领域
暂无应用领域。
