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MM74HCT374WM
IC

SOIC-20-300mil

可供量大可议

MM74HCT374WM

MM74HCT373 八进制 D 型锁存器和 MM74HCT374 八进制 D 型触发器采用先进的硅栅 CMOS 技术, 具有低功耗和宽电源范围的固有优势, 与 LS-TTL 输入和输出特性及引脚兼容。 3 态输出能够驱动 15 个 LS-TTL 负载。 所有输入通过内部二极管连接到 VCC 和地, 可防止因静电放电而损坏。 MM74HCT373 在锁存使能输入为高电平时, Q 输出跟随 D 输入; 锁存使能变为低电平时, D 输入的数据将保留在输出端, 直到锁存使能再次变为高电平。 当输出控制输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT374 是正边沿触发的触发器, 满足建立和保持时间要求的 D 输入数据在时钟(CK)输入的正跳变时传输到 Q 输出。 当输出控制(OC)输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT 器件旨在用于 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口, 也可替代 LS-TTL 器件, 用于降低现有设计的功耗。

品牌

onsemi

封装

SOIC-20-300mil

库存

1

货期

现货

MM74HCT374WM参数

封装SOIC-20-300mil
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类触发器
库存1

MM74HCT374WM概述

MM74HCT373 八进制 D 型锁存器和 MM74HCT374 八进制 D 型触发器采用先进的硅栅 CMOS 技术, 具有低功耗和宽电源范围的固有优势, 与 LS-TTL 输入和输出特性及引脚兼容。 3 态输出能够驱动 15 个 LS-TTL 负载。 所有输入通过内部二极管连接到 VCC 和地, 可防止因静电放电而损坏。 MM74HCT373 在锁存使能输入为高电平时, Q 输出跟随 D 输入; 锁存使能变为低电平时, D 输入的数据将保留在输出端, 直到锁存使能再次变为高电平。 当输出控制输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT374 是正边沿触发的触发器, 满足建立和保持时间要求的 D 输入数据在时钟(CK)输入的正跳变时传输到 Q 输出。 当输出控制(OC)输入为高电平时, 所有输出进入高阻态。 MM74HCT 器件旨在用于 TTL 和 NMOS 组件与标准 CMOS 器件之间的接口, 也可替代 LS-TTL 器件, 用于降低现有设计的功耗。

MM74HCT374WM特性

暂无产品特性。

MM74HCT374WM应用领域

暂无应用领域。

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