MM3Z8V2T1GX-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
MM3Z8V2T1GX-HXY
该稳压二极管具有8.2V的反向击穿电压(VR), 在正向导通时压降为0.9V(VF), 最大正向电流(IF)为0.01A。 其反向漏电流(IR)低至0.5微安, 确保在非工作状态下功耗极小。 器件额定功耗(PD)为0.3瓦, 适用于对功耗和稳定性要求较高的电源管理或信号调节电路中, 可有效提供电压基准或过压保护功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
170
货期
现货
MM3Z8V2T1GX-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
MM3Z8V2T1GX-HXY概述
该稳压二极管具有8.2V的反向击穿电压(VR), 在正向导通时压降为0.9V(VF), 最大正向电流(IF)为0.01A。 其反向漏电流(IR)低至0.5微安, 确保在非工作状态下功耗极小。 器件额定功耗(PD)为0.3瓦, 适用于对功耗和稳定性要求较高的电源管理或信号调节电路中, 可有效提供电压基准或过压保护功能。
MM3Z8V2T1GX-HXY特性
暂无产品特性。
MM3Z8V2T1GX-HXY应用领域
暂无应用领域。
