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MM3Z8V2T1GX-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

MM3Z8V2T1GX-HXY

该稳压二极管具有8.2V的反向击穿电压(VR), 在正向导通时压降为0.9V(VF), 最大正向电流(IF)为0.01A。 其反向漏电流(IR)低至0.5微安, 确保在非工作状态下功耗极小。 器件额定功耗(PD)为0.3瓦, 适用于对功耗和稳定性要求较高的电源管理或信号调节电路中, 可有效提供电压基准或过压保护功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

170

货期

现货

MM3Z8V2T1GX-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类稳压二极管
库存170

MM3Z8V2T1GX-HXY概述

该稳压二极管具有8.2V的反向击穿电压(VR), 在正向导通时压降为0.9V(VF), 最大正向电流(IF)为0.01A。 其反向漏电流(IR)低至0.5微安, 确保在非工作状态下功耗极小。 器件额定功耗(PD)为0.3瓦, 适用于对功耗和稳定性要求较高的电源管理或信号调节电路中, 可有效提供电压基准或过压保护功能。

MM3Z8V2T1GX-HXY特性

暂无产品特性。

MM3Z8V2T1GX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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