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MLSEP24B-MS
IC

0603

可供量大可议

MLSEP24B-MS

特性:最大允许连续直流电压:24V。 压敏电阻电压:15-20V。 典型电容值(1MHz):1.5pF。 典型电容值公差:30%。 最大ESD允许钳位电压:<20V。 初始状态下直流偏置电压下的泄漏电流:<0.1uA。 ESD测试后直流偏置电压下的泄漏电流:<2uA。 响应时间:<0.5ns。 工作环境温度:-50℃~+85℃。 储存温度:-50℃~+125℃。 ESD测试:IEC61000-4-2 4级。 主体材料:ZnO。 端接材料:Ag/Ni/Sn。 封装形式:卷带。 符合标准:IEC61000-4-2。 符合RoHS标准:是。 铅含量:<1000ppm。 标记:无

品牌

MSKSEMI

封装

0603

库存

1,970

货期

现货

MLSEP24B-MS参数

封装0603
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存1970

MLSEP24B-MS概述

特性:最大允许连续直流电压:24V。 压敏电阻电压:15-20V。 典型电容值(1MHz):1.5pF。 典型电容值公差:30%。 最大ESD允许钳位电压:<20V。 初始状态下直流偏置电压下的泄漏电流:<0.1uA。 ESD测试后直流偏置电压下的泄漏电流:<2uA。 响应时间:<0.5ns。 工作环境温度:-50℃~+85℃。 储存温度:-50℃~+125℃。 ESD测试:IEC61000-4-2 4级。 主体材料:ZnO。 端接材料:Ag/Ni/Sn。 封装形式:卷带。 符合标准:IEC61000-4-2。 符合RoHS标准:是。 铅含量:<1000ppm。 标记:无

MLSEP24B-MS特性

暂无产品特性。

MLSEP24B-MS应用领域

暂无应用领域。

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