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MLS65R190F
IC

TO-220F

可供量大可议

MLS65R190F

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):43W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.19Ω@10V, 10A

品牌

minos

封装

TO-220F

库存

63

货期

现货

MLS65R190F参数

封装TO-220F
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存63

MLS65R190F概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):43W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.19Ω@10V, 10A

MLS65R190F特性

暂无产品特性。

MLS65R190F应用领域

暂无应用领域。

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