MLS60R150W
IC
TO-247
可供量大可议
MLS60R150W
MLS60R150W是采用先进超结技术的硅N沟道增强型MOSFET， 该技术可降低导通损耗， 提升开关性能。 这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。 漏源电压（VDS）为600V， 当栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 26A时， 导通电阻（RDS(on)） < 150mΩ（典型值：126mΩ）， 具备快速开关特性， 经过100%雪崩测试， 改善了dv/dt能力， 符合RoHS标准
品牌
minos
封装
TO-247
库存
137
货期
现货
MLS60R150W参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 137 |
MLS60R150W概述
MLS60R150W是采用先进超结技术的硅N沟道增强型MOSFET， 该技术可降低导通损耗， 提升开关性能。 这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。 漏源电压（VDS）为600V， 当栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 26A时， 导通电阻（RDS(on)） < 150mΩ（典型值：126mΩ）， 具备快速开关特性， 经过100%雪崩测试， 改善了dv/dt能力， 符合RoHS标准
MLS60R150W特性
暂无产品特性。
MLS60R150W应用领域
暂无应用领域。