MLK1005S3N9STD25
IC
0402
可供量大可议
MLK1005S3N9STD25
特性：采用千兆螺旋层压结构, 可获得比MLG结构更高的自谐振频率, 且MLK中Q值的下降难以被限制。 采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺形成单片结构, 适用于高频。 无方向性。 工作温度范围:-55至+125°C。 符合AEC Q200标准。 应用：汽车设备。 智能手机
品牌
TDK
封装
0402
库存
500
货期
现货
MLK1005S3N9STD25参数
| 封装 | 0402 |
|---|---|
| 品牌 | TDK |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 贴片电感 |
|---|---|
| 库存 | 500 |
MLK1005S3N9STD25概述
特性：采用千兆螺旋层压结构, 可获得比MLG结构更高的自谐振频率, 且MLK中Q值的下降难以被限制。 采用多层陶瓷和导电材料烧结工艺形成单片结构, 适用于高频。 无方向性。 工作温度范围:-55至+125°C。 符合AEC Q200标准。 应用：汽车设备。 智能手机
MLK1005S3N9STD25特性
暂无产品特性。
MLK1005S3N9STD25应用领域
暂无应用领域。