MLG40T65FDL-W
IC
TO-3P
可供量大可议
MLG40T65FDL-W
采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)， 集射极击穿电压Vces=650V， 集电极电流Ic=40A， 具有导通压降低和关断损耗小等优点， 适用于光伏逆变， 储能， UPS， 电焊等应用场景
品牌
minos
封装
TO-3P
库存
584
货期
现货
MLG40T65FDL-W参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 584 |
MLG40T65FDL-W概述
采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术)， 集射极击穿电压Vces=650V， 集电极电流Ic=40A， 具有导通压降低和关断损耗小等优点， 适用于光伏逆变， 储能， UPS， 电焊等应用场景
MLG40T65FDL-W特性
暂无产品特性。
MLG40T65FDL-W应用领域
暂无应用领域。