MLG30T65FDL-F
IC
TO-220F
可供量大可议
MLG30T65FDL-F
MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽， 集射极击穿电压Vces=650V， 集电极电流Ic=30A
品牌
minos
封装
TO-220F
库存
794
货期
现货
MLG30T65FDL-F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 794 |
MLG30T65FDL-F概述
MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽， 集射极击穿电压Vces=650V， 集电极电流Ic=30A
MLG30T65FDL-F特性
暂无产品特性。
MLG30T65FDL-F应用领域
暂无应用领域。