MKT1813515255
IC
插件, D11xL31.5mm
可供量大可议
MKT1813515255
特性：散装于盒中, 或用卷轴包装。 最大允许的元件温度上升 (ΔT) 是环境温度 (Tamb) 的函数。 必须限制功率耗散, 以免超过根据自由环境温度所允许的最大元件温度上升。 功率耗散可根据型号详细规格 “HQN 384 01/101:薄膜电容器技术信息” 计算。 元件温度上升 (ΔT) 可测量或通过 ΔT = P/G 计算。 应用：低压应用中的阻塞、旁路、滤波、定时、耦合和去耦、干扰抑制
品牌
VISHAY
封装
插件, D11xL31.5mm
库存
30
货期
现货
MKT1813515255参数
| 封装 | 插件, D11xL31.5mm |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 薄膜电容 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MKT1813515255概述
特性：散装于盒中, 或用卷轴包装。 最大允许的元件温度上升 (ΔT) 是环境温度 (Tamb) 的函数。 必须限制功率耗散, 以免超过根据自由环境温度所允许的最大元件温度上升。 功率耗散可根据型号详细规格 “HQN 384 01/101:薄膜电容器技术信息” 计算。 元件温度上升 (ΔT) 可测量或通过 ΔT = P/G 计算。 应用：低压应用中的阻塞、旁路、滤波、定时、耦合和去耦、干扰抑制
MKT1813515255特性
暂无产品特性。
MKT1813515255应用领域
暂无应用领域。