MJQ80N65F
IC
TO-247
可供量大可议
MJQ80N65F
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1200V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.9Ω
品牌
MP
封装
TO-247
库存
28
货期
现货
MJQ80N65F参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | MP(美禄科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 28 |
MJQ80N65F概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1200V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.9Ω
MJQ80N65F特性
暂无产品特性。
MJQ80N65F应用领域
暂无应用领域。