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MJD50T4G
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IC

TO-252-2(DPAK)

MJD50T4G

三极管(BJT) 1.56W 400V 1A NPN

品牌

ON

封装

TO-252-2(DPAK)

交期

现货

批次

25+

MJD50T4G参数

封装TO-252-2(DPAK)
品牌ON(安森美)
批次25+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)400V
直流电流增益(hFE)30
集电极截止电流(Icbo)200uA
工作温度-65℃~+150℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存2,501
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)1A
耗散功率(Pd)15W
特征频率(fT)10MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))1V
射基极击穿电压(Vebo)5V

MJD50T4G概述

三极管(BJT) 1.56W 400V 1A NPN

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