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MJD45H11T4G
自营可供
IC

TO-252(DPAK)

MJD45H11T4G

三极管(BJT) 1.75W 80V 8A PNP

品牌

ON

封装

TO-252(DPAK)

交期

现货

批次

26+

MJD45H11T4G参数

封装TO-252(DPAK)
品牌ON(安森美)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)80V
直流电流增益(hFE)60
集电极截止电流(Icbo)1uA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存42,131
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)8A
耗散功率(Pd)20W
特征频率(fT)90MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))1V
射基极击穿电压(Vebo)5V

MJD45H11T4G概述

三极管(BJT) 1.75W 80V 8A PNP

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