MJD32T4G
自营可供
IC
DPAK
MJD32T4G
该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。 MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。
品牌
onsemi
封装
DPAK
交期
现货
批次
—
MJD32T4G参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 特征频率(fT) | 3MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 配置 | 独立式 |
| 商品型号 | MJD32T4G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000421 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 直流电流增益(hFE) | 10 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 数量 | 1个PNP |
| 商品名称 | MJD32T4G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 三极管(BJT) |
MJD32T4G概述
该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。 MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。