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MJD31CT4-A
自营可供
IC

TO-252-2

MJD31CT4-A

三极管(BJT) 15W 100V 3A NPN

品牌

ST

封装

TO-252-2

交期

现货

批次

26+

MJD31CT4-A参数

封装TO-252-2
品牌ST(意法半导体)
批次26+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE)10
集射极饱和电压(VCE(sat))1.2V
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存1,978
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)3A
耗散功率(Pd)15W
集电极截止电流(Icbo)20uA
射基极击穿电压(Vebo)5V

MJD31CT4-A概述

三极管(BJT) 15W 100V 3A NPN

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