MJD31C-13
IC
DPAK-3
可供量大可议
MJD31C-13
三极管(BJT) 1.56W 100V 3A NPN
品牌
DIODES
封装
DPAK-3
库存
6,117
货期
现货
MJD31C-13参数
| 封装 | DPAK-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 两年内 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 直流电流增益(hFE) | 25 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个NPN |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 6,117 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 特征频率(fT) | 3MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
MJD31C-13概述
三极管(BJT) 1.56W 100V 3A NPN
MJD31C-13特性
暂无产品特性。
MJD31C-13应用领域
暂无应用领域。