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MJD127T4G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

MJD127T4G-HXY

此款达林顿管采用TO-252-2L封装, 是一款高性能PNP型双极功率晶体管。 拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic), 额定功率耗散为1.5W。 其具有超低饱和电压, 在8A集电极电流和80mA基极电流时, VCE(sat)仅为4V, 确保高效能运行。 此外, 该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益, hFE范围介于1000至12000之间。 适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合, 以其卓越的电气参数与稳定性能, 满足各类中高功率电路需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

565

货期

现货

MJD127T4G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类达林顿管
库存565

MJD127T4G-HXY概述

此款达林顿管采用TO-252-2L封装, 是一款高性能PNP型双极功率晶体管。 拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic), 额定功率耗散为1.5W。 其具有超低饱和电压, 在8A集电极电流和80mA基极电流时, VCE(sat)仅为4V, 确保高效能运行。 此外, 该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益, hFE范围介于1000至12000之间。 适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合, 以其卓越的电气参数与稳定性能, 满足各类中高功率电路需求。

MJD127T4G-HXY特性

暂无产品特性。

MJD127T4G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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