MJD127T4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
MJD127T4G-HXY
此款达林顿管采用TO-252-2L封装, 是一款高性能PNP型双极功率晶体管。 拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic), 额定功率耗散为1.5W。 其具有超低饱和电压, 在8A集电极电流和80mA基极电流时, VCE(sat)仅为4V, 确保高效能运行。 此外, 该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益, hFE范围介于1000至12000之间。 适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合, 以其卓越的电气参数与稳定性能, 满足各类中高功率电路需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
565
货期
现货
MJD127T4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 565 |
MJD127T4G-HXY概述
此款达林顿管采用TO-252-2L封装, 是一款高性能PNP型双极功率晶体管。 拥有100V的集射极击穿电压(Vceo)及8A的最大集电极电流(Ic), 额定功率耗散为1.5W。 其具有超低饱和电压, 在8A集电极电流和80mA基极电流时, VCE(sat)仅为4V, 确保高效能运行。 此外, 该器件在4A/4V条件下提供出色的直流电流增益, hFE范围介于1000至12000之间。 适用于通用放大器设计以及低速开关应用场合, 以其卓越的电气参数与稳定性能, 满足各类中高功率电路需求。
MJD127T4G-HXY特性
暂无产品特性。
MJD127T4G-HXY应用领域
暂无应用领域。
