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MJD127T4
IC

TO-252-2(DPAK)

可供量大可议

MJD127T4

达林顿管 20W 100V 1000@4V, 4A PNP

品牌

ST

封装

TO-252-2(DPAK)

库存

8,712

货期

现货

MJD127T4参数

封装TO-252-2(DPAK)
品牌ST(意法半导体)
批次25+
类型PNP
集电极电流(Ic)8A
集电极截止电流(Icbo)10uA
直流电流增益(hFE)1000
基极-发射极饱和电压(VBE(sat))4.5V
分类达林顿管
库存8,712
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)20W
集射极饱和电压(VCE(sat))4V
射基极击穿电压(Vebo)5V
基极-发射极导通电压(VBE(on))2.8V

MJD127T4概述

达林顿管 20W 100V 1000@4V, 4A PNP

MJD127T4特性

暂无产品特性。

MJD127T4应用领域

暂无应用领域。

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