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MJD127G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

MJD127G-HXY

该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成, 具备5A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极耐压(VCEO), 适用于高增益与高功率需求的电路设计。 其电流放大倍数(HFE)可达2000至8000, 显著提升输入阻抗与电流驱动能力, 适合用于信号缓冲、高灵敏度开关及功率驱动电路。 该器件可在低输入电流下控制较大负载, 常用于电源管理模块、继电器驱动、LED控制及消费类电子设备中的精密模拟与数字接口电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

248

货期

现货

MJD127G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存248

MJD127G-HXY概述

该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成, 具备5A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极耐压(VCEO), 适用于高增益与高功率需求的电路设计。 其电流放大倍数(HFE)可达2000至8000, 显著提升输入阻抗与电流驱动能力, 适合用于信号缓冲、高灵敏度开关及功率驱动电路。 该器件可在低输入电流下控制较大负载, 常用于电源管理模块、继电器驱动、LED控制及消费类电子设备中的精密模拟与数字接口电路。

MJD127G-HXY特性

暂无产品特性。

MJD127G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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