MJD127G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
MJD127G-HXY
该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成, 具备5A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极耐压(VCEO), 适用于高增益与高功率需求的电路设计。 其电流放大倍数(HFE)可达2000至8000, 显著提升输入阻抗与电流驱动能力, 适合用于信号缓冲、高灵敏度开关及功率驱动电路。 该器件可在低输入电流下控制较大负载, 常用于电源管理模块、继电器驱动、LED控制及消费类电子设备中的精密模拟与数字接口电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
248
货期
现货
MJD127G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 248 |
MJD127G-HXY概述
该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成, 具备5A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极耐压(VCEO), 适用于高增益与高功率需求的电路设计。 其电流放大倍数(HFE)可达2000至8000, 显著提升输入阻抗与电流驱动能力, 适合用于信号缓冲、高灵敏度开关及功率驱动电路。 该器件可在低输入电流下控制较大负载, 常用于电源管理模块、继电器驱动、LED控制及消费类电子设备中的精密模拟与数字接口电路。
MJD127G-HXY特性
暂无产品特性。
MJD127G-HXY应用领域
暂无应用领域。
