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MJD122T4G-CN
IC

TO-252

可供量大可议

MJD122T4G-CN

封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 直流电流增益(hFE):1000 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率: 1.75V

Brand

ChipNobo

Package

TO-252

Stock

115

货期

现货

MJD122T4G-CNParameters

封装TO-252
品牌ChipNobo(无边界)
MOQ / SPQ1 / 5
分类达林顿管
库存115

MJD122T4G-CN概述

封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 直流电流增益(hFE):1000 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率: 1.75V

MJD122T4G-CN特性

暂无产品特性。

MJD122T4G-CN应用领域

暂无应用领域。

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