MJD122T4
IC
TO-252-2(DPAK)
可供量大可议
MJD122T4
达林顿管 20W 100V 1000@4V, 4A NPN
品牌
ST
封装
TO-252-2(DPAK)
库存
21,142
货期
现货
MJD122T4参数
| 封装 | TO-252-2(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 25+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 8A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4.5V |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 21,142 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.8V |
MJD122T4概述
达林顿管 20W 100V 1000@4V, 4A NPN
MJD122T4特性
暂无产品特性。
MJD122T4应用领域
暂无应用领域。