MJD122G
自营可供
IC
TO-252
MJD122G
达林顿管 100V 8A NPN TO-252
品牌
Cmos
封装
TO-252
交期
现货
批次
26+
MJD122G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 8A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.8V |
| 商品名称 | NPN 100V 8A |
| 封装 | TO-252(DPAK) |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000438 |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 2,427 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V |
| 特征频率(fT) | 4MHz |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4.5V |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
| 商品型号 | MJD122G |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 达林顿管 |
MJD122G概述
达林顿管 100V 8A NPN TO-252
MJD122G特性
- 低集电极
- 发射极饱和电压
- 集成反并联集电极
- 发射极二极管
MJD122G应用领域
- 通用线性和开关应用