MJD122G
IC
TO-252
可供量大可议
MJD122G
达林顿管 100V 8A NPN TO-252
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
2,478
货期
现货
MJD122G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 8A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
| 直流电流增益(hFE) | 8000 |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4.5V |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 2,478 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V@8A, 80mA |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
MJD122G概述
达林顿管 100V 8A NPN TO-252
MJD122G特性
暂无产品特性。
MJD122G应用领域
暂无应用领域。