MJD122
IC
TO-252
可供量大可议
MJD122
品牌
YONGYUTAI
封装
TO-252
库存
3,200
货期
现货
MJD122参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | YONGYUTAI(永裕泰) |
| 批次 | 26+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 8A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
| 直流电流增益(hFE) | 12000 |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4.5V |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 3,200 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V@8A, 80mA |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MJD122概述
NPN 集电极—发射极电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：5A 功率(Pd)：65W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic, Ib)：2V@3A, 12mA 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：1000@0.5A, 3V， 工作温度：+150℃@(Tj)
MJD122特性
暂无产品特性。
MJD122应用领域
暂无应用领域。