MJD117T4
IC
DPAK
可供量大可议
MJD117T4
达林顿管 20W 100V 1000@3V, 2A PNP
品牌
ST
封装
DPAK
库存
1,191
货期
现货
MJD117T4参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| 类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 1,191 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V |
| 特征频率(fT) | 25MHz |
MJD117T4概述
达林顿管 20W 100V 1000@3V, 2A PNP
MJD117T4特性
暂无产品特性。
MJD117T4应用领域
暂无应用领域。